Memori Internal Berkapasitas 1TB

Houston, PADANGTODAY.com – Ilmuan di Rice University, Houston, AS sedang membuat hal yang gila. Seperti yang kita ketahui kapasitas penyimpanan internal smartphone biasanya maksimal 64GB atau 128GB.

Namun, ilmuwan ini akan membuat smartphone yang mempunyai kapasitas penyimpanan internal hingga 1.000GB alias 1TB.

Para ilmuwan ini sedang mengembangkan teknologi oksida silikon untuk membuat resistive random-access memory (RRAM).

RRAM diharapkan dapat menggantikan flash memory yang saat ini digunakan pada smartphone dan tablet. Menariknya, RRAM memiliki kapasitas penyimpanan seperti solid state drive (SSD), yakni hingga 1TB.

Dilansir dari situs resminya, James Tour, kepala tim pengembangan RRAM dari Rice University mengatakan bahwa pengembangan teknologi RRAM sudah mulai dilakukan lebih dari lima tahun lalu.

“Saat ini sejumlah manufaktur sudah mengumumkan rencananya untuk memproduksi purwarupa RRAM yang dapat menyimpan data hingga 1TB meski berukuran seperti selembar perangko,” ujarnya. (jt/ari)

Leave a Reply

Your email address will not be published. Required fields are marked *

*

Lewat ke baris perkakas